پروفایل استاد - دانشکده فنی و مهندسی
مقالات علمی چاپ شده در مجلات
-
"Enhanced performance of SOI MESFETs by displacement of gate contact and applying double oxide packets"
Behrooz Fath-Ganji,
Ali Mir,
,
Reza Talebzadeh,
Ali Farmani
ELECTRICAL ENGINEERING,
Vol. 105,
pp.3-14,
2023
-
"Efficient Digital Realization of Endocrine Pancreatic beta Cells"
Milad Ghanbarpour,
,
Saeed Haghiri,
Behzad Ghanbari,
Arash Ahmadi
IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems,
Vol. 17,
pp.246-256,
2023
-
"Implementation of cardiac Purkinje Fiber cells Model: High speed and low cost hardware"
Mahsa Salimi Mansouri,
,
Behzad Ghanbari
AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS,
Vol. 153,
pp.1-11,
2022
-
"A novel metal-semiconductor device to enhance the current and unilateral power gains and 0 dB frequencies by SiO2 insertion in drift region"
Amir Abdi,
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials,
Vol. 283,
pp.1-11,
2022
-
"Embedded metal and L-shaped oxide layers in silicon on insulator MESFETs: higher electric field tolerance and lower high frequency gate capacitances"
Elham Farahzad,
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE-MATERIALS IN ELECTRONICS,
Vol. 33,
pp.19971-19984,
2022
-
"An Efficient Digital Realization of Retinal Light Adaptation in Cone Photoreceptors"
Milad Ghanbarpour,
,
Saeed Haghiri,
Arash Ahmadi
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS,
Vol. 68,
pp.5072-5080,
2021
-
"Proposal of a doping-less tunneling carbon nanotube field-effect transistor"
Maryam Ghodrati,
Ali Mir,
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials,
Vol. 265,
2021
-
"DC and RF characteristics improvement in SOI-MESFETs by inserting additional SiO2 layers and symmetric Si wells"
Sasan Khanjar,
Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials,
Vol. 272,
2021
-
"Shifted gate electrode of silicon on insulator metal semiconductor FETs to amend the breakdown and transconductance"
,
Hamed Mohammadi
European Physical Journal Plus,
Vol. 136,
pp.1-17,
2021
-
"High Speed and Low Digital Resources Implementation of Hodgkin-Huxley Neuronal Model Using Base-2 Functions"
Saeed Haghiri,
,
Behzad Ghanbari,
Arash Ahmadi
IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS I-REGULAR PAPERS,
Vol. 68,
pp.275-287,
2021
-
"Reduction in Self-Heating Effect of SOI MOSFETs by Three Vertical 4H-SiC Layers in the BOX"
Behrooz Abdi Tahne,
,
Fatemeh Heirani
Silicon,
Vol. 12,
pp.975-986,
2020
-
"The use of a Gaussian doping distribution in the channel region to improve the performance of a tunneling carbon nanotube field-effect transistor"
,
Maryam Ghodrati,
Sobhi Baniardalani
Journal of Computational Electronics,
Vol. 19,
pp.283-290,
2020
-
"New structure of tunneling carbon nanotube FET with electrical junction in part of drain region and step impurity distribution pattern"
Maryam Ghodrati,
Ali Mir,
AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS,
Vol. 117,
2020
-
"Embedding Two P+ Pockets in the Buried Oxide of Nano Silicon on Insulator MOSFETs: Controlled Short Channel Effects and Electric Field"
Zahra Aghaeipour,
Silicon,
Vol. 12,
pp.2611-2618,
2020
-
"A novel SOI-MESFET with symmetrical oxide boxes at both sides of gate and extended drift region into the buried oxide"
,
Fatemeh Heirani
AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS,
Vol. 85,
pp.91-98,
2018
-
"Cut Off Frequency Variation by Ambient Heating in Tunneling p-i-n CNTFETs"
,
Maryam Ghodrati
ECS Journal of Solid State Science and Technology,
Vol. 7,
2018
-
"A novel SOI-MESFET with parallel oxide-metal layers for high voltage and radio frequency applications"
Hamed Mohammadi,
AEU-INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS AND COMMUNICATIONS,
Vol. 83,
pp.541-548,
2018
-
"Multiplierless Implementation of Noisy Izhikevich Neuron With Low-Cost Digital Design"
Saeed Haghiri,
Abdulhamid Zahedi,
,
Arash Ahmadi
IEEE Transactions on Biomedical Circuits and Systems,
Vol. 12,
pp.1422-1430,
2018
-
"High breakdown voltage and high driving current in a novel silicon-on-insulator MESFET with high- and low-resistance boxes in the drift region"
,
Hamed Mohammadi
European Physical Journal Plus,
Vol. 133,
pp.2-10,
2018
-
"An efficient structure for T-CNTFETs with intrinsic-n-doped impurity distribution pattern in drain region"
,
Ghodrati Maryam
Turkish Journal of Electrical Engineering and Computer Sciences,
Vol. 26,
pp.2335-2346,
2018
-
"Band bending engineering in p-i-n gate all around Carbon nanotube field effect transistors by multi-segment gate"
,
Behrooz Abdi Tahne
International Journal of Nano Dimension,
Vol. 8,
pp.341-350,
2017
-
"Improving band-to-band tunneling in a tunneling carbon nanotube field effect transistor by multi-level development of impurities in the drain region"
,
Maryam Ghodrati
European Physical Journal Plus,
Vol. 132,
2017
-
"Improvement in the performance of graphene nanoribbon p-i-n tunneling field effect transistors by applying lightly doped profile on drain region"
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B,
Vol. 31,
2017
-
"SLD-MOSCNT: A new MOSCNT with step-linear doping profile in the source and drain regions"
Behrooz Abdi Tahne,
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B,
Vol. 31,
2017
-
"Improvement in the performance of SOI-MESFETs by T-shaped oxide part at channel region: DC and RF characteristics"
,
Fatemeh Heirani
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,
Vol. 111,
pp.1022-1033,
2017
-
"Double gate graphene nanoribbon field effect transistor with electrically induced junctions for source and drain regions"
Journal of Computational Electronics,
Vol. 15,
pp.347-357,
2016
-
"Higher Current Ratio and Improved Ambipolar Behavior in Graphene Nanoribbon Field Effect Transistors by Symmetric Pocket Doping Profile"
ECS Journal of Solid State Science and Technology,
Vol. 5,
2016
-
"T-CNTFET with Gate-Drain Overlap and Two Different Gate Metals: A Novel Structure with Increased Saturation Current"
,
Behrooz Abdi Tahne
ECS Journal of Solid State Science and Technology,
Vol. 5,
2016
-
"ReviewMethods in Improving the Performance of Carbon Nanotube Field Effect Transistors"
,
Behrooz Abdi Tahne
ECS Journal of Solid State Science and Technology,
Vol. 5,
2016
-
"Attributes in the Performance and Design Considerations of Asymmetric Drain and Source Regions in Carbon Nanotube Field Effect Transistors: Quantum Simulation Study"
,
Seyed Abolfazl Ahmadmiri
ECS Journal of Solid State Science and Technology,
Vol. 5,
2016
-
"Double gate graphene nanoribbon field effect transistor with single halo pocket in channel region"
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,
Vol. 89,
pp.170-178,
2015
-
"Theoretical analysis of a novel dual gate metal-graphene nanoribbon field effect transistor"
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING,
Vol. 31,
pp.223-228,
2015
-
"Electrically-activated source extension graphene nanoribbon field effect transistor: Novel attributes and design considerations for suppressing short channel effects"
,
Parviz Keshavarzi
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,
Vol. 72,
pp.305-318,
2014
-
"Numerical study of carbon nanotube field effect transistors in presence of carbon-carbon third nearest neighbor interactions"
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B,
Vol. 28,
2014
-
"SDC-CNTFET: STEPWISE DOPING CHANNEL DESIGN IN CARBON NANOTUBE FIELD EFFECT TRANSISTORS FOR IMPROVING SHORT CHANNEL EFFECTS IMMUNITY"
ZAHRA JAMALABADI,
PARVIZ KESHAVARZI,
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B,
Vol. 28,
2014
-
"Novel carbon nanotube field effect transistor with graded double halo channel"
,
Parviz Keshavarzi
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,
Vol. 51,
pp.668-679,
2012
-
"The effects of source/drain and gate overlap on the performance of carbon nanotube field effect transistors"
,
Parviz Keshavarzi
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,
Vol. 52,
pp.962-976,
2012
-
"LDC-CNTFET: A carbon nanotube field effect transistor with linear doping profile channel"
,
Parviz Keshavarzi,
Ali A. Orouji
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES,
Vol. 50,
pp.145-156,
2011
-
"بهبود عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی در حضور ناهمپوشانی"
علی نادری،
مریم قدرتی
مدلسازی در مهندسی،
نسخه 17،
صفحات:215-224،
1398
-
"SOI-MESFET with a layer of metal in buried oxide and a layer of SiO2 in channel to improve RF and breakdown characteristics"
علی نادری،
Kamran Moradi Satari،
Fatemeh Heirani
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING،
نسخه 88،
صفحات:57-64،
1396
-
"ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانو لوله کربنی تونل زنی با دوپینگ خطی در ناحیه درین: شبیه سازی عددی کوانتومی"
بهروز عبدی تهنه،
علی نادری
مدلسازی در مهندسی،
نسخه 16،
صفحات:109-117،
1396
-
"ساختار جدید ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با ناخالصی های سبک در کانال و دی الکتریک دو قسمتی"
علی نادری،
مریم قدرتی
مهندسی برق و الکترونیک ایران،
صفحات:9-16،
1396
مقالات علمی ارائه شده در همایشها
-
"Effects of carbon nanotube diameter on the performance of T-CNTFETs"
Maryam Ghodrati
3rd International Conference on Nanotechnology,
2018
-
"The performance analysis and comparison between n-i-n and p-i-n carbon nanotube field effect transistors"
SR pioneers,
2017
-
"Lower leakage current and higher current ratio for carbon nanotube field effect transistors by symmetric downward doping at drain and source regions"
SR pioneers,
2017
-
"capacity enhancement in power system with existing switchgear using resistive superconducting fault current limiter"
mehrdad paimard,
vahid abbasi,
,
2017
-
"Carbon nanotube field effect transistor with four haloes of impurity in the channel and two different dielectric"
Maryam Ghodrati,
sr pioneers,
2015
-
"Designing a new MOSCNT using different doping profiles in source and drain regions"
behrooz abdi tahneh,
sr pioneers 2015,
2015
-
"Novel carbon nanotube field effect transistor with double stepwise doping channel"
zohreh mahmoodi,
10th nanoscience and nanotechnology conference,
2014
-
"Numerical simulation study of cut off frequency in different structures of carbon nanotube field effect transistors"
10th nanoscience and nanotechnology conference,
2014
-
"A New Carbon Nanotube Field Effect Transistor with Stepwise Doping Lightly Doped Drain and Source Regions"
maryam ghodrati,
10th nanoscience and nanotechnology conference,
2014
-
"بهبود حاصلضرب مصرف توان در تاخیر، نسبت جریان و فرکانس قطع ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی با تغییر الگوی توزیع ناخالصی در درین"
علی نادری
اولین کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق/ کد اختصاصی:01221-16723،
1401
-
"شبیه سازی ساختار با چاله سیلیسیم برای افزاره اثر میدان فلز-نیمه رسانا"
علی نادری
کنفرانس بین المللی پژوهش ها و فناوری های نوین در مهندسی برق/کد اختصاصی:01221-16723،
1401
-
"کاهش اثرات خودگرمایی و بهبود در مشخصات ترانزیستور SOI-MESFET با استفاده از لایه SiC"
ندا امیری،
علی نادری
سومین کنفرانس ملی میکرو/نانو فناوری // 01220-93971،
1401
-
"کاربرد معادلات هاجکین هاکسلی در مدل سازی بخش های مختلف قلب شامل گره سینوسی دهلیزی، گره دهلیزی بطنی و سلول فیبر پورکینژ"
مهسا سلیمی منصوری،
علی نادری
چهارمین کنفرانس بین المللی محاسبات نرم،
صفحات:1-10،
1400
-
"بررسی مدل های ریاضی توصیف کننده تولید سیگنا ل های الکتریکی نورون های مغزی با استفاده از معادلات دیفرانسیل"
مهسا سلیمی منصوری،
علی نادری
پنجمین کنفرانس ملی فناوری در مهندسی برق و کامپیوتر (TEC-2021) // کد همایش:00210-94375،
1400
-
"بهبود عملکرد ساختارSOI-MESFET با استفاده از چاله های دوگانه و اکسیدهای اضافی در ناحیه کانال"
ندا امیری،
علی نادری
بیست و هشتمین کنفرانس ملی مهندسی برق ایران// کد همایش:99191-20835،
1399
-
"بررسی اثر تغییرضخامت اکسید گیت بر رفتار فرکانس بالای ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونلی با استفاده از تابع گرین غیرتعادلی"
علی نادری،
مریم قدرتی،
علی میر
بیست و هفتمین کنفرانس مهندسی برق ایران // کدهمایش 99191-20835،
1399
-
"کاهش بیشینه میدان الکتریکی در سمت درین در ترانزیستورهای اثر میدان نانو لوله کربنی"
علی نادری،
بهروز عبدی تهنه
دومین کنفرانس ملی فناوریهای نوین در مهندسی برق و کامپیوتر // کد همایش:97181-11302،
1397
-
"استفاده از اکسید گیت ال شکل در ترانزیستورهای ماسفت سیلیکون روی عایق جهت کاهش خازن های گیت"
علی نادری،
بهروز عبدی تهنه
کنفرانس ملی فناوری های نوین در مهندسی برق و کامپیوتر،
1396
-
"ساختار یک ترانزیستور سیلیکون روی عایق دارای دو دندانه در ناحیه کانال جهت کاربردهای با ولتاژ بالا: شبیه سازی عددی دو بعدی"
علی نادری،
کامران مرادی سطری
دومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی محاسبات نرم،
1396
-
"بررسی اثر تغییر ثابت دی الکتریک گیت بر عملکرد ترانزیستور اثر میدانی نانولوله کربنی تونل زنی با حل عددی خودسازگار معادلات پواسون و شروودینگر"
علی نادری،
مریم قدرتی
دومین کنفرانس ملی و اولین کنفرانس بین المللی محاسبات نرم// کد همایش: 96170-40501،
1396
-
"بهبود ولتاژ شکست در ترانزیستورهای مسفت سیلیکن روی عایق با استفاده از جعبه با ناخالصی نوعp"
علی نادری،
فاطمه حیرانی،
عباس رضایی
چهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی درمهندسی برق و مکانیک// کد همایش: 95160-71903،
1395
-
"طراحی و پیاده سازی ساختارهایی بهینه از مالتی پلکسرها با تکنولوژس کیو سی ای"
ملیحه نوروزی،
عباس رضایی،
علی نادری
جهارمین کنفرانس ملی و دومین کنفرانس بین المللی پژوهش های کاربردی درمهندسی برق و مکانیک،
1395